TRANSISTOR MTN10N65FP

TRANSISTOR MTN10N65FP MOSFET CANAL N 10A 700V  AISLADO
•Tipo de transistor: MOSFET de canal N
•Encapsulado: TO-220FP (Fully Plastic, aislado eléctricamente)
•Tensión drenador-fuente (Vds): 650 V (máxima)
•Corriente de drenador (Id): 10 A (máxima)
•Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 0.75 Ω (típica)
•Tensión de compuerta-umbral (Vgs(th)): 3 - 5 V
•Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±30 V (máxima)
•Capacidad de disipación de potencia (Ptot): 25 W
•Frecuencia de conmutación: Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.