TRANSISTOR MTP8N65I = KP8N65I

TRANSISTOR MTP8N65I = KP8N65I  SMD 650V 8A
•Tipo de transistor: MOSFET de canal N
•Encapsulado: TO-220
•Tensión drenador-fuente (Vds): 650 V (máxima)
•Corriente de drenador (Id): 8 A (máxima)
•Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 1 Ω (máxima a Vgs = 10 V)
•Tensión de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2 - 4 V
•Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±30 V (máxima)
•Capacidad de disipación de potencia (Ptot): Aproximadamente 150 W
•Frecuencia de conmutación: Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.