TRANSISTOR P2503NPG

TRANSISTOR P2503NPG MOSFET CH-N /30V/7A/2.5W
•Tipo de transistor: MOSFET de canal N
•Encapsulado: TO-252 (DPAK) o similar
•Tensión drenador-fuente (Vds): 30 V (máxima)
•Corriente de drenador (Id): 80 A (máxima)
•Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 8 mΩ (máxima a Vgs = 10 V)
•Tensión de compuerta-umbral (Vgs(th)): 1-3 V
•Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±20 V (máxima)
•Potencia de disipación (Ptot): Alrededor de 125 W, dependiendo del encapsulado y la disipación térmica.