TRANSISTOR RJP30H1DPD

TRANSISTOR RJP30H1DPD CANAL IGBT SMD N 360V 30A
•Tipo de transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
•Encapsulado: TO-3P (un encapsulado robusto que ofrece buena disipación térmica)
•Tensión colector-emisor (Vce): 330 V (máxima)
•Corriente de colector (Ic): 30 A (máxima)
•Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1.5 V (típica)
•Frecuencia de conmutación: Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
•Capacidad de disipación de potencia (Ptot): Alrededor de 125 W (dependiendo de la disipación térmica).
•Tensión de compuerta-emisor (Vge): ±20 V (máxima).