TRANSISTOR RJP30H1DPP-M0

TRANSISTOR RJP30H1DPP-M0  CANAL IGBT N 300V 30A
•Tipo de transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
•Encapsulado: TO-3P (un encapsulado grande, ideal para aplicaciones de alta potencia)
•Tensión colector-emisor (Vce): 330 V (máxima)
•Corriente de colector (Ic): 30 A (máxima)
•Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1.5 V (típica a 15 V de Vge)
•Frecuencia de conmutación: Adecuado para aplicaciones de conmutación de media a alta frecuencia.
•Capacidad de disipación de potencia (Ptot): Aproximadamente 125 W (dependiendo del encapsulado y la disipación de calor)
•Tensión de compuerta-emisor (Vge): ±20 V (máxima)