TRANSISTOR SPA11N80C3

TRANSISTOR SPA11N80C3 MOSFET CANAL N 800V 11A
•Tipo de transistor: MOSFET de canal N
•Encapsulado: TO-220 (no aislado)
•Tensión drenador-fuente (Vds): 800 V (máxima)
•Corriente de drenador (Id): 11 A (máxima)
•Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): 0.38 Ω (máxima)
•Tensión de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2.5 - 3.5 V
•Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V (máxima)
•Capacidad de disipación de potencia (Ptot): 125 W
•Frecuencia de conmutación: Alta velocidad, adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.